判決出爐！聯電認「竊美光營業秘密」　遭美司法部罰17億

財經中心／許珮絨報導

晶圓代工廠「聯華電子」（United Microelectronics Corp，簡稱聯電）於2017年11月遭美國司法部控告，涉嫌與中國國有企業福建晉華積體電路公司（Fujian Jinhua Integrated Circuit Co.）共謀竊取美光科技（Micron）的營業秘密；而聯電在當地時間28日認罪，以換取先前和美國政府達成合作調查晉華公司的協議，最後被判處6000萬美元罰款（約新台幣17.33億元）。

▲聯電與美國司法部達成認罪協商。（圖／翻攝自聯電官網）

美國司法部28日發布 新聞稿表示，聯邦大陪審團在2018年9月正式對聯電、晉華以及3人就竊取美光關於製造動態隨機存取記憶體（DRAM）之營業祕密一事起訴，其中聯電在判決確定前曾多次與美國司法部商討解決方案並向法院提出量刑書狀。

聯電今發聲明指出，已與美國司法部達成認罪協商，協議內容業經北加州聯邦地方法院判決確定，同意支付美國政府6000萬美元的罰金，並在3年自主管理的緩刑期間內與司法部合作，而司法部也同意撤銷共謀實施經濟間諜活動、共謀竊取多項美光營業秘密和專利有關等指控。

聯電提到，公司在2016年5月經由經濟部投審會核准，與福建省晉華有限公司簽署合作協議、共同開發兩代動態隨機存取記憶體（DRAM）製程；而聯電為了這項合作案公開招募工程師，且不允許任何員工攜帶前公司資訊到聯電，並針對自身與他人營業秘密已有多項保護與防免之政策與措施，但兩位參與合作案的台灣美光前員工卻違反與聯電簽訂之僱傭合約與聲明書，攜帶前公司資訊進入聯電並於工作中參考。

聯電表示，一知悉上述情事即立刻採取必要措施，以確認開發的製程技術不包含任何未經授權的資訊，並強調協議中所提及的第一代DRAM製程技術在2018年9月已依協議移轉給晉華，聯電從無意圖、也未移轉任何未經授權的資訊給晉華。