台達旗下碇基半導體「雙面散熱GaN」電晶體　通過DMTBF測試驗證

記者王翊綺／台北報導

▲台達電子公司碇基半導體最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，獨家通過DMTBF測試驗證。（圖／記者王翊綺攝影）

台達電（2308）子公司碇基半導體（Ancora Semiconductor Inc.）今（27）宣布，最新雙面散熱GaN氮化鎵場效應電晶體，獨家通過DMTBF測試驗證，該系列產品目前已應用於台達和威剛科技（3260）合作開發的鈦金級電源供應器XPG FUSION 1600W上。

碇基獨有的雙面散熱元件FET-E6007PD020，其專利雙面散熱結構能有效地分離電氣和熱，進一步解決高功率產品的熱導問題，在20萬小時的長時間運作下，仍能維持優越效能，突顯其產品的高信賴性與可靠度。目前已通過DMTBF（Demonstrated Mean Time Between Failures）測試驗證。

碇基總經理邢泰剛博士表示，寬能隙半導體GaN元件的應用為電力電子帶來了革命性的突破，運用GaN優異的物理特性，能夠實現高效能和小型化。除了此款650V雙面散熱的GaN元件FET-E6007PD020，碇基半導體將持續拓展產品線，提供更多樣化的氮化鎵元件，以滿足不同的設計需求。

台達電源及系統事業群總經理陳盈源則指出，DMTBF測試結果證明了Ancora產品的可靠性和穩定性，可實現更高的功率密度和更強大的節能效果，未來期待Ancora推出更多產品，持續加速雙邊在高功率電源供應器的合作，為全球客戶提供更優質的產品和服務。

碇基這款產品易於實現頂部散熱應用，同時具有降低電熱耦合風險、促進散熱效能等特點。此外，特殊的封裝結構可減少寄生電感，提高電源產品的效率，在高效能、高密度、高頻率和溫度控制方面表現更出色。此系列產品各項表現，更能滿足於伺服器、AI人工智慧、高效能運算、醫療、網通等先進應用。

碇基在氮化鎵功率半導體領域擁有15年以上的專業經驗，全球已累積超過200件高價值專利。多年來與台積電（2308）、羅姆半導體（ROHM Co., Ltd）等業界領導公司緊密合作，致力於為客戶提供優質的寬能隙半導體解決方案。這次聯手台達電子及威剛科技的策略合作，進一步滿足了客戶對高效能電源的需求，提供更可靠的解決方案。