熱門股／旺到抓不住　華邦電新目標價曝

財經中心／廖珪如報導

在記憶體報價全面走升帶動下，華邦電（2344）營運動能持續轉強。市場分析指出，DRAM 與 Flash 產品價格同步上揚，反映產業供需結構出現實質性改變，在 AI 應用快速擴張、排擠非 AI 記憶體產能的背景下，DDR4 市場尤為吃緊，帶動華邦電接單動能與獲利展望同步改善，維持「買進」評等，目標價調高至 158 元。

DDR4 市場供給高度緊繃：大廠產能轉向 AI 應用、第一季合約價具顯著上漲空間

市場觀察顯示，自 2025 年下半年起，DRAM 市場供需結構已出現轉折，訂單動能明顯轉強。隨著 AI 需求持續擴張，國際大廠產能加速轉向高階應用，傳統 DDR4 供給遭到排擠，使原本屬於利基市場的 DDR4 價格漲勢格外顯著。近期 DDR4 合約與現貨價格大幅走升，市場預期 2026 年第一季 DRAM 合約價仍有顯著上漲空間，供需結構維持高度緊繃。

Flash 產品線同步回溫：2026 年 EPS 預估達 9.91 元、獲利結構隨報價紅利優化

除 DRAM 外，NOR Flash 與 NAND Flash 市場亦同步回溫。市場分析認為，在工控、車用與嵌入式應用需求回升下，Flash 產品價格具備續漲基礎，成為華邦電獲利上修的重要支撐。在報價紅利帶動下，市場預估華邦電 2026 年稅後每股盈餘（EPS）可望達 9.91 元，較前一年顯著成長。分析指出，華邦電不僅受惠於 DRAM 報價上行，Flash 產品線同步回升，有助產品組合優化與毛利率提升，使整體獲利具備進一步上修空間。

產能布局與製程升級：推進 16 奈米先進製程、CUBE 專案挹注中長期動能

為因應訂單成長與提升交付能力，華邦電持續加大關鍵設備與廠務投資，加速產線成熟度並提升先進製程良率。市場分析指出，公司正積極推進 16 奈米製程導入，並同步擴充 DRAM 與 Flash 產能，以支撐未來數年成長需求。其中，高雄廠將持續擴充 DRAM 產能並逐步轉進 16 奈米製程；台中廠則以 Flash 產能為核心，涵蓋 NOR 與 NAND Flash，同時保留部分 legacy DRAM 產線，維持產品彈性配置。此外，CUBE 專案預計自 2027 年起開始對營收產生貢獻，為中長期成長增添動能。

產業正式走出谷底、供給收斂與需求擴張構築評價修復空間

市場分析認為，記憶體產業已正式走出谷底，進入由供給收斂與需求擴張共同推動的上行循環。在 DRAM 與 Flash 報價同步走強、產能布局逐步到位的情況下，華邦電獲利彈性顯著提升，評價具備向上修復空間，後續表現仍值得關注。

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