財經中心/廖珪如報導
根據美光最新財報及產業分析,AI基礎設施正推動記憶體產業進入結構性供給吃緊的超級循環(Super Cycle),高頻寬記憶體(HBM)產能預計將一路緊缺至2027年以後,帶動DRAM與NAND Flash供需失衡延續至2028年。台廠看好南亞科、華邦電、群聯。(示意圖/PIXABAY)隨著AI資料中心持續擴建,法人指出,根據美光最新財報及產業分析,AI基礎設施正推動記憶體產業進入結構性供給吃緊的超級循環(Super Cycle),高頻寬記憶體(HBM)產能預計將一路緊缺至2027年以後,帶動DRAM與NAND Flash供需失衡延續至2028年。在AI伺服器需求快速成長、長期供貨合約興起,以及邊緣AI帶動記憶體容量提升下,記憶體原廠營運前景持續看旺。法人表示,HBM大量排擠DRAM產能,使成熟型DRAM供給持續收縮,加上AI伺服器與邊緣裝置對記憶體容量需求同步提升,推動整體記憶體報價維持上行趨勢,看好台灣記憶體供應鏈將持續受惠。
產能排擠發酵 南亞科迎爆發
其中,南亞科(2408)受惠HBM排擠效應帶動2026年DRAM價格大幅走揚,營收與獲利可望快速成長。除受惠記憶體景氣循環外,公司也積極布局DDR5、LPDDR5及AI客製化記憶體,新廠預計2027年投產,支撐中長期成長動能。法人給予支撐價398元、壓力價505元。
報價同步上揚 華邦電大進補
華邦電(2344)則受惠DDR4、LPDDR4、NOR Flash及SLC NAND產品價格同步上漲,獲利可望明顯提升。法人指出,公司持續擴充高雄16奈米DRAM產能,同時布局客製化記憶體業務,有助維持未來兩年高成長、高獲利週期,支撐價182元、壓力價234元。
產品具備優勢 群聯吃大商機
此外,群聯(8299)也受惠NAND Flash報價走揚,以及AI資料中心持續擴建帶動儲存需求增加。法人認為,群聯憑藉完整供應鏈布局,以及PCIe 6.0控制晶片、aiDAPTIV+等產品優勢,可望持續受惠AI儲存市場成長,成為AI基礎建設的重要受惠廠商。法人給予支撐價2460元、壓力價2880元。
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