熱門股／大摩點記憶體續漲　台廠10強點將

財經中心／廖珪如報導

上週記憶體續強，華邦電（2344）、旺宏（2337）都觸及漲停，摩根士丹利最新報告分析，全球儲存市場供需失衡，2026年DRAM和NAND價格預期分別上揚62%、75%。在此脈絡下，記憶體台廠受惠週期相對過去而言，循環景氣較大。相關類股包括旺宏 (2337) 就是 NOR Flash 台灣代表廠商。華邦電 (2344)、南亞科(2408) 則是 DRAM。群聯 (8299) 則是 SSD 模組、南茂 (8150) 記憶體 IC 封測、至上 (8112) 記憶體通路。力積電 (6770) 記憶體 IC 晶圓代工。晶豪科 (3006)、鈺創(5351)、愛普(6531) 則是記憶體 IC 設計可留意佈局。

AI 趨勢：轉向記憶體中心運算

被譽為半導體業先知、前明星基金經理人「萬鈞法人視野」粉專分析，他在2021 年秋季，拜訪旺宏吳敏求先生時，吳敏求便提出面對 AI 與物聯網世代，傳統以處理器為中心（Processor Centric）的架構將遭遇瓶頸，未來將進入以記憶體為中心的運算時代（Memory Centric Solution）。當時，這項觀點顯得天馬行空，畢竟相較於台積電的先進製程，記憶體長期被視為半導體產業的配角。

但走到 2026 年，AI 徹底改變了運算本質。過去 CPU 時代，瓶頸在於算力；但在 GPU 與加速器時代，瓶頸已移向資料搬運與供應鏈物理極限。當模型參數與 Agent 工作流將資料吞吐量推向新量級，系統真正卡住的往往不是「算不出來」，而是「餵不進去」。

HBM4 規格：2048-bit 架構重置

這就是典型的「記憶體高牆」（Memory Wall）：算力成長斜率遠超記憶體頻寬與延遲的改善速度，導致昂貴的晶片在等待資料。這種效率折損在資本市場上，直接體現為報酬率（ROI）下降。HBM 是消耗記憶體資源的核心，而 2026 年 HBM4 的推出更引發了「完美風暴」。它不再只是更快的 DRAM，而是系統架構的重置。HBM4 將記憶體定義為可封裝、帶有邏輯底座（Logic Base Die）的「運算級元件」。介面寬度翻倍至 2048-bit、堆疊達 16-Hi、單顆容量上看 64GB，這代表 AI 系統需透過封裝與系統工程來解題，而非傳統規格迭代。

HBM4 產能排擠與戰略物資化

更重要的是，HBM4 重新定義了記憶體的稀缺性。生產一片 HBM3 晶圓的機會成本約為 3 到 4 片標準 DRAM；而 HBM4 對標準產能的「排擠效應」將擴大至 1:5 甚至更高。當 AI 吸走頂級產能與良率窗口，傳統記憶體將變成需要排隊、配額的戰略物資，進而外溢影響 DDR5 與 eSSD 的供應節奏。根據 2026 年數據，HBM4 產能消耗劇增主因有三：第一、I/O 介面寬度翻倍導致晶粒面積膨脹；第二、16 層堆疊 (16Hi) 引發非線性良率損耗；第三、導入混合鍵合（Hybrid Bonding）技術增加工藝複雜度與循環時間。

記憶體決定 AI 商用 ROI

未來記憶體的重要性不亞於先進製程。先進製程決定運算核心大小，先進封裝決定系統整合度，而記憶體則決定這一切能否有效使用。若記憶體頻寬跟不上，再強的 2 奈米晶片也如同困在塞車市區的超跑。在 AI 商業化戰場，記憶體已從成本項轉變為決定 ROI 的效率項。

2026 年 HBM 產能幾乎被訂光，當供給鎖死且需求上修，記憶體議價權將擺脫週期性波動，轉向類似能源或關鍵原物料的主導力量。這導致 DDR5 報價劇烈上行，也迫使下游 PC 與手機廠商必須面對 BOM 成本上升的現實。未來終端產品的差異化將取決於記憶體配置，因為這直接決定了 AI 功能的體驗上限。過去投資半導體看重微縮製程；未來投資 AI 硬體，核心將是誰能把資料餵得最快、搬得最省電，而這場大戲的主角正是記憶體。

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