財經中心／廖珪如報導
基於大幅上修的獲利預測，摩根大通將華邦電目標價由原先 NT$83 調升至 NT$140，採用 4 倍 2026 年預估股價淨值比（P/B）估值，高於目前 3 倍 12 個月預期 P/B 及過去十年峰值 2 倍（排除本波上行週期），反映記憶體超級週期、 AI 產能排擠效應及產品規格升級帶動的評價重估。（示意圖／AI生成）記憶體大廠華邦電（2344）被列處置股將於今(26)日解禁，摩根大通對其最新研究報告中大幅上調華邦電子投資評等與目標價，從83元上調至140元，評等為「優於大盤」。反映對記憶體產業超級週期以及華邦電在 DRAM 與 Flash 產品線的強勁獲利潛力高度樂觀。
DRAM 獲利動能爆發：合約價強勁上漲、DDR4 量產與高額庫存價值釋放
報告指出，華邦電 2026 年與 2027 年每股盈餘（EPS）預估大幅上修近一倍，分別達到 NT$12.4 與 NT$12.0，主要受惠於 DRAM 與 Flash 業務同步走強。其中，DRAM 預計在 2026 年貢獻顯著獲利動能，合約價格在 2026 年第一季及第二季仍有上漲空間（模式化為 QoQ 上漲 40-60% 及雙位數百分比），加上 DDR4 8Gb 產品於 2026 年初量產、DDR3 4Gb 定價對標 DDR4 以最大化獲利，以及高達 NT$25.3bn 庫存（逾 50% 為成品）將逐步出貨，均為關鍵驅動因素。公司計劃平均分配庫存出貨，而非前置出清，顯示對下半年 DRAM 價格持續強勁的信心。
Flash 業務毛利擴張：NOR Flash 產能擴增、鞏固全球龍頭供應商地位
Flash 業務方面，預期毛利率從 2025 年第四季低於 30% 擴張至 2026 年下半年 50%，NOR Flash 產能將從 2025 年底的 25kwpm 擴增至 2026 年中 30kwpm，鞏固全球最大 NOR Flash 供應商地位。雖然華邦電不生產 MLC NAND（漲幅與 DRAM 相當），但同業旺宏轉向更多 MLC NAND 配置，可能間接利好華邦電的 NOR 與 SLC NAND 業務。中長期需關注 AI 推論需求是否排擠這些傳統 Flash 產品供應。
估值基準重定義：預估 ROE 翻倍至 36%、採 4 倍 P/B 反映評價重估
基於大幅上修的獲利預測，摩根大通將 華邦電目標價由原先 NT$83 調升至 NT$140，採用 4 倍 2026 年預估股價淨值比（P/B）估值，高於目前 3 倍 12 個月預期 P/B 及過去十年峰值 2 倍（排除本波上行週期），反映記憶體超級週期、 AI 產能排擠效應及產品規格升級帶動的評價重估。對應 2026 年預估 ROE 達 36%（較 2021 年 18% 翻倍），目標價隱含 2026 年約 11 倍本益比，仍在合理區間內。報告維持「優於大盤」（Overweight）評等。
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