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日媒:中國半導體水準 僅差台積電3年

日媒報導,日本半導體調查企業TechanaLye社長清水洋治表示,經過分析,儘管良率上仍存有差異,但是中國晶片的技術實力,目前僅落後台積電3年的水準。

日媒報導指出,中國半導體水準,僅差台積電3年,圖為台積電。(示意圖/資料照)

▲日媒報導指出,中國半導體水準,僅差台積電3年,圖為台積電。(示意圖/資料照)

日經中文網今(27)日報導,清水洋治是在比較台積電2021年量產的5奈米「KIRIN 9000」,以及2024年中芯國際量產的7奈米「KIRIN 9010」後,作出上述結論。根據報導,二者的處理性能已基本相同。

「KIRIN 9010」是由華為旗下的海思半導體設計,由中國半導體廠中芯國際負責量產,這一處理器在今年4月上市的華為最新款智慧手機Pura 70 Pro上使用;而2021年的應用處理器「KIRIN 9000」是由海思半導體設計,台積電負責量產。

報導指出,美國政府對中國華為啟動的出口禁令已有5年,美方一直在採取遏制中國晶片技術的措施,但是成效至今少有討論。

美國政府的警惕對象中芯國際,採用的是線路線寬為7奈米的技術;而台積電當時採用5奈米的量產製程,向華為供應處理器。

一般來說,如果線路線寬變窄,半導體的處理性能就會提高,半導體面積則會變小。據報導,中芯國際以7奈米量產的晶片面積為118.4平方毫米,台積電的5奈米晶片則為107.8平方毫米,面積沒有太大差異,處理性能也基本相同。

報導指出,雖然二者在良率上存在差距,但從出貨的半導體晶片的性能來看,中芯國際的實力已追趕到比台積電落後3年。雖然線路線寬為7奈米,但可以發揮與台積電的5奈米相同的性能,因此可分析出海思半導體的設計能力也進一步提高。

華為的Pura 70 Pro除了存儲晶片和傳感器之外,還搭載了支撐鏡頭、電源、顯示器功能的共37個半導體。

其中,海思半導體承擔14個,其他中國企業承擔18個,從中國以外的晶片來看,只有韓國SK海力士(SK Hynix)的DRAM、德國博世(Bosch)的運動傳感器等5個。實際上,86%的半導體產自中國。

清水洋治分析華為最新款智慧型手機,得出的結論是,「到目前為止,美國政府的管制只是略微減慢了中國的技術創新,但推動了中國半導體產業的自主生產」。

根據半導體行業團體SEMI數據顯示,從2023年製造設備的各地區銷售比重來看,中國占34.4%,且購買了韓國和台灣約2倍的設備。

報導指出,雖然最尖端半導體製造設備的出口管制備受關注,但實際情況是,中國不斷採購管制對象外的設備,穩步磨練量產技術。

中央社

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