熱門股／美光加持力積電避關稅？　報告曝光

財經中心／廖珪如報導

美國商務部長盧特尼克16日在出席美光（Micron）紐約州新廠動土典禮時宣布，不在美國生產的記憶體製造商，將可能面臨100%關稅，這將是美國首次特別針對DRAM供應商課稅，由於記憶體龍頭除了美光為美商必定可享豁免，甫與美光合作的力積電壓力相對台廠較小。

週末美光宣布和力積電（6770）簽署獨家意向書（Letter of Intent；LOI），除了以 18 億美元現金收購力積電位於苗栗銅鑼的 12 吋晶圓廠（P5），美光協助其利基型 DRAM 代工事業，將可能進一步牽動 DDR4 供需變化。

根據 TrendForce 最新 DRAM 產業調查，隨著 Micron 計畫以 18 億美元收購力積電在台灣的銅鑼廠房（不含生產相關機器設備），且雙方將建立長期的 DRAM 先進封裝代工關係，此合作案將有利 Micron 增添先進製程 DRAM 產能，並提升 PSMC 的成熟製程 DRAM 供應，預估 2027 年全球 DRAM 產業供給將有上修空間。

瞄準 AI 推論需求：銅鑼廠預計 2027 量產並貢獻美光全球逾一成產能

TrendForce 表示，2025 年下半開始，ASIC 和 AI 推論分別帶動 HBM3e、DDR5 需求，並推升整體 DRAM 利潤率，促使 Micron 加速擴充產能。本次收購銅鑼廠包括土地及廠房、無塵室，預期 Micron 將可在 2026 至 2027 年分批移入既有及新訂購的設備，以 DRAM 先進製程的前段設備為主，並於 2027 年投入量產。預估銅鑼一期在 2027 年下半年可貢獻的產能，將相當於 Micron 2026 年第四季全球產能的 10% 以上。

美光全球布局策略：整合台灣多處廠房建構 HBM 與晶圓測試完整體系

據 TrendForce 統計，2025 年第三季 Micron 在全球 DRAM 產業的營收市占率為 25.7%，排名第三。2024 年起 AI 帶動 HBM、DDR5、LPDDR5X 等先進製程 DRAM 產品需求，Micron 除了持續執行美國 ID1、新加坡 HBM 後段產能建設，便已積極向外收購廠房，以縮短產能建置時程。在銅鑼廠之前，Micron 在台灣已收購 AUO 台南廠 2 座、AUO Crystal 在台中的廠房，以及 Glorytek 的台中廠房，作為 wafer probe（晶圓測試）、metallization（金屬化）、HBM TSV 等各項用途。Micron 亦規劃將部分新加坡 NAND Flash 無塵室改用於 DRAM metallization。

力積電技術升級契機：獲美光 1Y/1Z nm 授權強化利基型 DRAM 競爭力

觀察此次銅鑼廠收購案對力積電的意義：其現有 DRAM 產能主要採用 25nm、38nm 製程，因此其 DDR4 產線暫時止步於容量較小的產品。近日 PSMC 與 Micron 簽署合作意向書後，預計未來一年內將獲得 Micron 授權 1Y nm 製程，後續並有機會再取得 1Z nm 製程授權，可支持其提升 DDR4 產品容量。此舉將有利 PSMC 保持在 consumer DRAM 市場的製程競爭力，同時擴大位元產出，又不與 Micron 的先進產品線互相競爭。

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