SiC護城河！從6吋穩產到8吋突圍　格棋碳化矽新創站上全球舞台

財經中心／師瑞德報導

台灣碳化矽（SiC）新創格棋化合物半導體今（4）日宣布，將於SEMICON Taiwan 2025展出最新的大尺寸SiC材料成果，重點聚焦於8吋晶圓的可靠度與可用率挑戰。格棋強調，真正的競爭關鍵並非晶圓尺寸，而是如何降低缺陷密度、提升量產良率，才能滿足電動車、高頻通訊、衛星應用等市場對高可靠度SiC材料的迫切需求。

格棋指出，目前8吋SiC最大難題在於微管（Micropipe）、堆疊錯位（SF）、基底位錯（BPD）等晶體缺陷。團隊已建立跨越熱場設計、碳比控制、雜質抑制與結晶動態調控的完整製程策略，成功將缺陷密度壓低至10²/cm²以下，大幅提升晶圓可用率與後端加工良率。本次展出包括高純度粉體、8吋導電與半絕緣晶棒與晶圓五大實體成果，展現從原料控制到晶圓製程的垂直整合能力。

在應用面上，格棋強調，這些材料不僅能用於車用功率模組、能源逆變器，也能對應航太通訊、雷達與微波元件的高端需求，協助客戶加速新產品認證流程。格棋同時透露，8吋導電型晶圓的成長穩定性已逐步接近試量產標準，將能支援高壓高流的工業電源與儲能系統；而8吋半絕緣晶圓則鎖定在市場稀缺的雷達與射頻通訊應用，屬於高附加價值的關鍵材料。

相較全球大廠仍多停留在8吋實驗線，格棋已經建立6吋SiC穩定量產能力，並完成8吋晶棒與晶圓的製程實證。公司透過整合日本與台灣的長晶模組技術，建立高重現性製程平台，包含種晶端純化、粉體雜質管控、碳包覆抑制與熱場模擬，確保晶體成長過程穩定，並降低多晶型生成率與內部應力。

除了技術成果，格棋業務處長吳義章博士亦在本屆展會榮獲「SEMI 20 Under 40 半導體新銳獎」，成為材料領域代表之一。主辦單位肯定他在推動第三類半導體產業上的貢獻，尤其是在公司創業初期即參與技術藍圖與客戶驗證，推動「可交付材料文化」，讓格棋在短時間內完成從研發到市場落地的轉換。

格棋認為，全球第三類半導體供應鏈正面臨重組：歐洲積極強化本地製造，中國以低價策略爭市，美國則透過IRA補助提高自製率。在此格局下，台灣必須從代工視角轉型為材料供應鏈的主體，才能維持關鍵地位。

格棋強調，「晶圓品質就是品牌信任」，公司將持續推動「低缺陷、高交付、在地製造」策略，打造專屬台灣的SiC技術護城河。此次SEMICON Taiwan 2025的展出，正是格棋向全球展示其量產能力與可靠交付承諾的重要舞台，也凸顯台灣新創不只製造，更要贏得市場信任的決心。

格棋化合物半導體成立於2022年，專注於第三代化合物半導體長晶技術，鎖定能源轉型與電動車市場。2023年完成15億元新台幣A輪募資後，持續投入碳化矽長晶工藝與量產平台，致力於打造兼具高效能與高可靠度的碳化矽材料，推動台灣在全球半導體供應鏈中占據關鍵地位。