世界頂尖半導體生產設備製造商艾司摩爾（ASML）執行長福克今天說，預期幾個月內可看到使用其新一代微影設備高數值孔徑（High NA）極紫外光（EUV）機製造的首批產品問世。
ASML於日前舉行媒體交流會，台灣暨東南亞區客戶行銷主管徐寬成表示，半導體製程技術持續不斷微縮，High NA EUV設備將有助於客戶節省時間及成本，已累積超過35萬片晶圓使用High NA EUV曝光。路透社報導，ASML最大客戶台積電4月才表示，High NA EUV曝光機太過昂貴。這種機器每台價格最高可達4億美元（約新台幣126億6000萬元）。
不過，福克（Christophe Fouquet）今天在比利時的微電子研究中心（imec）主辦的一場會議上說，High NA EUV曝光機將降低最先進晶片的圖案化（patterning）成本，無論是邏輯晶片或記憶晶片。
他並表示：「接下來幾個月內，我們將見到首批在High NA系統上曝光（製造）的少數產品，無論是記憶體或邏輯應用。」
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